Корпорации Intel и Micron заявили о том, что общими стараниями компаниям получилось построить первый в мире кристалл NAND-памяти вместительностью 128 Гбит. Габариты новации очень невелики и дают возможность строить карты памяти для мобильных конструкций, а также твердотельные накопители солидной емкости. Кроме этого, корпорации начали глобальный выпуск кристаллов вместимостью 64 Гбит по 20-нанометровому технологическому процессу.
Новоиспеченные кристаллы впервые дадут возможность строить портативные накопители вместимостью 1 Тбайт, заключающие в себя 8 элементов. Кроме этого, они располагают в два раза более высочайшей производительностью, нежели самые скорые из предшественников. По сообщению уполномоченных  Micron, наибольшая производительность равна 333 миллиона операций ежесекундно (MT/s). 1-ые образцы будут презентованы широкой публике уже в начале 2012 года, а глобальное исполнение стартует в первом полугодии 2012 года. Изготовление кристаллов вместимостью 64 Гбит стартует уже скоро.